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    • 深圳市芯幂科技有限公司认证

      11年

      1326708877413267088774 (微信同号)Alien深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240511012790

      IRF640NLPBF.

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司认证

      14年

      0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

      IRF640NLPBF.

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    更多收回

    • 深圳市坤融电子有限公司

      18年

      0755-2399097513926529829，17318082080肖瑶，树平航都大厦10I11012384

    • IRF640NPBD
    • IR　
    • TO220　
    • 2024+　
    • 8500　
    • 国内最优势渠道价格最低欢迎咨询　

    • 集好芯城

      18年

      0755-8256400613310061703傅小姐深圳市福田区航都大厦25F11010804

    • IRF640NPBD
    • IR　
    • TO220　
    • 最新批?　
    • 9000　
    • 原厂原装现货匹配　

    • 集好芯城

      18年

      0755-8256400613310061703傅小姐深圳市福田区航都大厦25F11010804

    • IRF640NPB
    • IR　
    • TO-220　
    • 最新批?　
    • 36269　
    • 原厂原装现货匹配　

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    IRF640NPBF PDF资料
    • 资料下载
    • 制造商：IRF[International Rectifier]
    • PDF文件大小：300.8 Kbytes
    • PDF文件页数：共12页
    • 描述：HEXFET® Power MOSFET
    IRF640NPBF技术规格
    • 制造商:Infineon
    • 产品种类:MOSFET
    • RoHS:是
    • 技术:Si
    • 安装风格:Through Hole
    • 封装 / 箱体:TO-220-3
    • 通道数量:1 Channel
    • 晶体管极性:N-Channel
    • Vds-漏源极击穿电压:200 V
    • Id-连续漏极电流:18 A
    • Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms
    • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
    • Qg-栅极电荷:44.7 nC
    • 最小工作温度:- 55 C
    • 最大工作温度:+ 175 C
    • Pd-功率耗散:150 W
    • 配置:Single
    • 通道模式:Enhancement
    • 封装:Tube
    • 高度:15.65 mm
    • 长度:10 mm
    • 晶体管类型:1 N-Channel
    • 宽度:4.4 mm
    • 商标:Infineon Technologies
    • 正向跨导 - 最小值:6.8 S
    • 下降时间:5.5 ns
    • 产品类型:MOSFET
    • 上升时间:19 ns
    • 工厂包装数量:1000
    • 子类别:MOSFETs
    • 典型关闭延迟时间:23 ns
    • 典型接通延迟时间:10 ns
    • 零件号别名:SP001570078
    • 单位重量:6 g
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