IRF640NPBF
规格信息:

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:44.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:6.8 S

下降时间:5.5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:19 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:SP001570078

单位重量:6 g

介绍图IRF640NPBF
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IRF640NPBFAdvanced Process Technology IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC网341.59 Kbytes共11页IRF640NPBF的PDF文件地址 IRF640NPBF的PDF第一页预览图片 产品购买
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