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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.8A
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻26mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.7W
类型双N沟道
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