VBZA9936
规格信息:

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.8A

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻26mΩ @ 4A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.7W

类型双N沟道

介绍图VBZA9936
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VBZA9936Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC网629.57 Kbytes共9页VBZA9936的PDF文件地址 VBZA9936的PDF第一页预览图片 产品购买
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