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    VBZA4953
    规格信息：

    商品类型MOS(场效应管)

    漏源电压（Vdss）-30V

    连续漏极电流（Id）（25°C 时）7.3A

    栅源极阈值电压3V @ 250uA

    漏源导通电阻39mΩ @ 6.2A,4.5V

    最大功率耗散（Ta=25°C）5W

    类型双P沟道

    介绍图VBZA4953
    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    VBZA4953Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC网661.52 Kbytes共9页VBZA4953的PDF文件地址 VBZA4953的PDF第一页预览图片 产品购买
    VBZA4953AVBsemi(台湾微碧)VBsemi(台湾微碧)的LOGO-天天IC网1.65 Mbytes共9页VBZA4953A的PDF文件地址 VBZA4953A的PDF第一页预览图片 产品购买
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