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    FDA50N50
    规格信息：

    制造商:ON Semiconductor

    产品种类:MOSFET

    RoHS:是

    技术:Si

    安装风格:Through Hole

    封装 / 箱体:TO-3PN-3

    通道数量:1 Channel

    晶体管极性:N-Channel

    Vds-漏源极击穿电压:500 V

    Id-连续漏极电流:48 A

    Rds On-漏源导通电阻:105 mOhms

    Vgs - 栅极-源极电压:20 V

    最小工作温度:- 55 C

    最大工作温度:+ 150 C

    Pd-功率耗散:625 W

    配置:Single

    通道模式:Enhancement

    封装:Tube

    高度:20.1 mm

    长度:16.2 mm

    系列:FDA50N50

    晶体管类型:1 N-Channel

    宽度:5 mm

    商标:ON Semiconductor / Fairchild

    下降时间:230 ns

    产品类型:MOSFET

    上升时间:360 ns

    工厂包装数量:450

    子类别:MOSFETs

    典型关闭延迟时间:225 ns

    典型接通延迟时间:105 ns

    单位重量:6.401 g

    介绍图FDA50N50
    型号功能描述生产厂商厂商LOGOPDF大小PDF页数PDF文件相关型号第一页预览产品购买
    FDA50N50500V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC网222.62 Kbytes共8页FDA50N50的PDF文件地址STD2NC50,STP20NM50FD,STW15NB50,FQB2N50,FQNL1N50B,FQPF5N50,IRFS440B,FQPF5N50CF,FQPF9N50CF,STP22NM50 FDA50N50的PDF第一页预览图片 产品购买
    FDA50N50500V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC网497.93 Kbytes共8页FDA50N50的PDF文件地址STW26NM50,FDH45N50F_0605,FDP12N50,FDA20N50F,FQP13N50CF,FDA24N50,IRF840B_05,STP9NK50Z_04,TSM5NS50,FDB12N50F FDA50N50的PDF第一页预览图片 产品购买
    FDA50N50DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC网298.83 Kbytes共14页FDA50N50的PDF文件地址 FDA50N50的PDF第一页预览图片 产品购买
    FDA50N50isc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC网276.4 Kbytes共2页FDA50N50的PDF文件地址 FDA50N50的PDF第一页预览图片 产品购买
    FDA50N5050Ampere,500Volt N-Channel Planar Process Power MOSFET THINKISEMI[Thinki Semiconductor Co., Ltd.]THINKISEMI[Thinki Semiconductor Co., Ltd.]的LOGO-天天IC网1298.32 Kbytes共3页FDA50N50的PDF文件地址 FDA50N50的PDF第一页预览图片 产品购买
    FDA50N50_12500V N-Channel MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC网551.01 Kbytes共8页FDA50N50_12的PDF文件地址 FDA50N50_12的PDF第一页预览图片 产品购买
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