制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-3PN-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:300 V

Id-连续漏极电流:38 A

Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:5 V

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:60 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 125 C

Pd-功率耗散:312 W

配置:Single

商标名:UniFET

封装:Tube

高度:20.1 mm

长度:16.2 mm

系列:FDA38N30

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:5 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

正向跨导 - 最小值:6.3 S

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:450

子类别:MOSFETs

单位重量:6.401 g