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深圳市芯幂科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同号)Alien深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240511012790
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
14年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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UT3P01Z PDF资料
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- 制造商:UTC[Unisonic Technologies]
- PDF文件大小:173.32 Kbytes
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- 描述:P CHANNEL POWER MOSFET
UT3N10G-AE3-R技术规格
- 商品目录场效应管(MOSFET)
- 类型N沟道
- 漏源电压(Vdss)100V
- 连续漏极电流(Id)3A
- 功率(Pd)350mW
- 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)165mΩ@10V,3A
- 阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
- 栅极电荷(Qg@Vgs)20nC@80V
- 输入电容(Ciss@Vds)720pF@25V
- 反向传输电容(Crss@Vds)36pF@25V
- 工作温度+150℃@(Tj)
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