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UCC21710QDWRQ1 PDF资料
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- 制造商:TI1[Texas Instruments]
- PDF文件大小:543.14 Kbytes
- PDF文件页数:共6页
- 描述:single channel isolated gate driver for SiC/IGBT with advanced protection and high-CMTI
UCC21710QDWRQ1技术规格
- 包装
- 系列汽车级,AEC-Q100
- 零件状态有源
- 技术容性耦合
- 通道数1
- 电压 - 隔离5700Vrms
- 共模瞬态抗扰度(最小值)150V/ns
- 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)130ns,130ns
- 脉宽失真(最大)30ns
- 上升/下降时间(典型值)33ns,27ns
- 电流 - 输出高,低10A,10A
- 电流 - 峰值输出10A
- 电压 - 正向(Vf)(典型值)-
- 电压 -输出供电13V ~ 33V
- 工作温度-40°C ~ 125°C
- 安装类型表面贴装型
- 封装/外壳16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装16-SOIC
- 认可UL,VDE
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