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TPH8R80ANH PDF资料
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- 制造商:TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]
- PDF文件大小:240.05 Kbytes
- PDF文件页数:共9页
- 描述:MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)
TPH8R80ANH技术规格
- 通道类型:N
- 最大连续漏极电流:59 A
- 最大漏源电压:100 V
- 最大漏源电阻值:8.8 m0hms
- 最大栅阈值电压:4V
- 最大栅源电压:-20 V、+20 V
- 封装类型:SOP 高级
- 安装类型:表面贴装
- 引脚数目:8
- 晶体管配置:单
- 通道模式:增强
- 类别:功率 MOSFET
- 最大功率耗散:61 W
- 尺寸:5 x 5 x 0.95mm
- 系列:TPH
- 每片芯片元件数目:1
- 晶体管材料:Si
- 最高工作温度:+150 °C
- 典型输入电容值@Vds:2180 pF @ 50 V
- 典型关断延迟时间:33 ns
- 典型接通延迟时间:19 ns
- 宽度:5mm
- 高度:0.95mm
- 典型栅极电荷@Vgs:33 nC @ 10 V
- 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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