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国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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TK5A65DA(STA4,Q,M) PDF资料
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- 制造商:Toshiba
- PDF文件大小:230.39 Kbytes
- PDF文件页数:共9页
- 描述:MOSFET N-Ch MOS 4.5A 650V 35W 700pF 1.67 Ohm
TK5A65DA(STA4,Q,M)技术规格
- 数据列表:TK5A65DA -
- 标准包装:50
- 类别:分立半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- 包装:管件
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):650V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta)
- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.67 欧姆 @ 2.3A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 25V
- 功率 - 最大值:35W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商器件封装:TO-220SIS
- 其它名称:TK5A65DA(STA4QM)TK5A65DASTA4QM
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