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国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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TK12P60W,RVQ PDF资料
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- 制造商:Toshiba
- PDF文件大小:243.90 Kbytes
- PDF文件页数:共10页
- 描述:MOSFET DTMOSIV 600V 340mOhm 115A 100W 890pF 25nC
TK12P60W,RVQ技术规格
- 制造商:Toshiba
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:TO-252-3
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:600 V
- Id-连续漏极电流:11.5 A
- Rds On-漏源导通电阻:340 mOhms
- Vgs th-栅源极阈值电压:3.7 V
- Vgs - 栅极-源极电压:30 V
- Qg-栅极电荷:25 nC
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:100 W
- 配置:Single
- 商标名:DTMOSIV
- 封装:Reel
- 高度:2.3 mm
- 长度:6.5 mm
- 系列:TK12P60W
- 晶体管类型:1 N-Channel
- 宽度:5.5 mm
- 商标:Toshiba
- 下降时间:5.5 ns
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:23 ns
- 工厂包装数量:2000
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:85 ns
- 典型接通延迟时间:45 ns
- 单位重量:4 g
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