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STV270N4F3 PDF资料
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- 制造商:STMicroelectronics
- PDF文件大小:776.68 Kbytes
- PDF文件页数:共12页
- 描述:MOSFET N-channel 40 V
STV270N4F3技术规格
- 制造商:STMicroelectronics
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:PowerSO-10
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:40 V
- Id-连续漏极电流:270 A
- Rds On-漏源导通电阻:1.25 Ohms
- Vgs - 栅极-源极电压:20 V
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:300 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 资格:AEC-Q101
- 商标名:STripFET
- 封装:Cut Tape
- 封装:MouseReel
- 封装:Reel
- 高度:3.65 mm
- 长度:7.6 mm
- 系列:STV270N4F3
- 晶体管类型:1 N-Channel
- 类型:Power MOSFETs
- 宽度:9.5 mm
- 商标:STMicroelectronics
- 正向跨导 - 最小值:200 S
- 下降时间:45 ns
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:180 ns
- 工厂包装数量:600
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:110 ns
- 典型接通延迟时间:25 ns
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