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STS8N6LF6AG PDF资料
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- 制造商：STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]
- PDF文件大小：717.57 Kbytes
- PDF文件页数：共13页
- 描述：Switching applications
STS8N6LF6AG技术规格
- 制造商:STMicroelectronics
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SOIC-8
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:60 V
- Id-连续漏极电流:8 A
- Rds On-漏源导通电阻:21 mOhms
- Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
- Vgs - 栅极-源极电压:20 V
- Qg-栅极电荷:27 nC
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 175 C
- Pd-功率耗散:3.2 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 资格:AEC-Q101
- 商标名:STripFET
- 系列:STS8N6LF6AG
- 晶体管类型:1 N-Channel
- 商标:STMicroelectronics
- 下降时间:7 ns
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:20 ns
- 工厂包装数量:2500
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:56 ns
- 典型接通延迟时间:9.6 ns
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