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    • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

      6年

      0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480：微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

      STP7N80C

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 国丰临科技（深圳）有限公司认证

      4年

      0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578

      STP7N80C

      配单
      直通车
      -
      -
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      -
      配单首选

      保1万

    • 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司认证

      12年

      0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

      STP7N80C

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    更多收回

    • 深圳市天卓伟业电子有限公司

      8年

      0755-8257355217302670049陈敏深圳市福田区华强北路1019号A座13楼11012046

    • STP7N80C
    • ST　
    • TO-220　
    • 19+　
    • 12　
    • 天卓伟业★原厂正规渠道★免费提供样品　

    • 深圳市坤融电子有限公司

      16年

      0755-2399097517318082080，13510287235肖瑶，树平航都大厦11FG11012384

    • STP7N80FI
    • ST　
    • TO-220F　
    • 2021+　
    • 36530　
    • 专业配单100%原装进口　

    • 深圳市华康联电子科技有限公司

      7年

      0755-8377118118570339653廖S0755-82541490深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A11012671

    • STP7N80FI
    • ST　
    • TO-220F　
    • 21+　
    • 2588　
    • 原装正品，支持样品　

    • 深圳和润天下电子科技有限公司

      10年

      13378422395，19129491930蔡经理，张小姐深港合作区前湾一路1号A栋201室面向全世界客户，原装现货，亿万库存，专业BOM表一站式配单，欢迎询价！电话：13378422395，19129491930（微信同号）11014984

    • STP7N80FI
    • ST/意法　
    • TO-220F　
    • 22+　
    • 96521　
    • 面向全世界客户，原装现货亿万库存　

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    STP7N80K5 PDF资料
    • 资料下载
    • 制造商：STMicroelectronics
    • PDF文件大小：868.14 Kbytes
    • PDF文件页数：共28页
    • 描述：MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
    STP7N80K5技术规格
    • 制造商:STMicroelectronics
    • 产品种类:MOSFET
    • RoHS:是
    • 技术:Si
    • 安装风格:Through Hole
    • 封装 / 箱体:TO-220-3
    • 晶体管极性:N-Channel
    • Vds-漏源极击穿电压:800 V
    • Id-连续漏极电流:6 A
    • Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms
    • Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
    • Vgs - 栅极-源极电压:30 V
    • Qg-栅极电荷:13.4 nC
    • 最小工作温度:- 55 C
    • 最大工作温度:+ 150 C
    • Pd-功率耗散:110 W
    • 商标名:MDmesh
    • 封装:Tube
    • 系列:STP7N80K5
    • 商标:STMicroelectronics
    • 下降时间:20.2 ns
    • 产品类型:MOSFET
    • 上升时间:8.3 ns
    • 工厂包装数量:1000
    • 子类别:MOSFETs
    • 典型关闭延迟时间:11.3 ns
    • 典型接通延迟时间:23.7 ns
    • 单位重量:330 mg
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