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  • 国丰临科技(深圳)有限公司认证

    4

    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

    S16D35C

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  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司认证

    12

    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

    S16D35C

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    1万

  • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

    6

    0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

    S16D35C

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    1万

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  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • S16D40C
  • MOSPEC 
  • TO-3P 
  • 最新批? 
  • 10000 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 集好芯城

    16

    0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

  • S16D60C
  • MOSPEC 
  • TO-3P 
  • 最新批? 
  • 10000 
  • 原厂原装现货匹配 

  • 深圳市芯幂科技有限公司

    9

    133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

  • S16DR
  • GeneSiC Semiconductor 
  • 原装 
  • 2019+ 
  • 2560 
  • 原装正品 

S16D35C PDF资料
  • 资料下载
  • 制造商:WTE[Won-Top Electronics]
  • PDF文件大小:81.04 Kbytes
  • PDF文件页数:共4页
  • 描述:16A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
S16DR技术规格
  • 标准包装:100
  • 类别:分立半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 二极管类型:标准型, 反极性
  • 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V
  • 电流 - 平均整流(Io):16A
  • 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.1V @ 16A
  • 速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10µA @ 50V
  • 不同?Vr,F 时的电容:-
  • 安装类型:底座,接线柱安装
  • 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱
  • 供应商器件封装:-
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
  • 其它名称:S16DRGN
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