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国丰临科技(深圳)有限公司![企业已认证 认证](/imgs/cerdit.png)
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
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深圳市深创鑫科技有限公司![企业已认证 认证](/imgs/cerdit.png)
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司![企业已认证 认证](/imgs/cerdit.png)
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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RN2308(TE85L,F) PDF资料
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- 制造商:Toshiba
- PDF文件大小:841.71 Kbytes
- PDF文件页数:共7页
- 描述:双极晶体管 - 预偏置 100mA -50volts 3Pin 22K x 47Kohms
RN2308(TE85L,F)技术规格
- 数据列表:RN2307-9 -
- 产品培训模块:General Purpose Discrete Items
- 标准包装:3,000
- 类别:分立半导体产品
- 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
- 系列:-
- 包装:带卷(TR)
- 晶体管类型:PNP - 预偏压
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值):100mA
- 电压 - 集射极击穿(最大值):50V
- 电阻器 - 基底(R1)(欧姆):22k
- 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆):47k
- 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
- 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250µA,5mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):500nA
- 频率 - 跃迁:200MHz
- 功率 - 最大值:100mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商器件封装:USM
- 其它名称:RN2308(TE85L,F)-NDRN2308(TE85LF)RN2308(TE85LF)-NDRN2308(TE85LF)TR
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