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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
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PMBFJ109,215 PDF资料
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- 制造商:NXP Semiconductors
- PDF文件大小:163.37 Kbytes
- PDF文件页数:共10页
- 描述:JFET TAPE7 FET-RFSS
PMBFJ109,215技术规格
- FET类型:N 沟道
- 漏源电压(Vdss):25V
- 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss):40mA @ 15V
- 不同Id时的电压-截止(VGS关):6V @ 1µA
- 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):30pF @ 10V(VGS)
- 电阻-RDS(开):12 欧姆
- 功率-最大值:250mW
- 工作温度:150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23(TO-236AB)
- FET 类型:N 沟道
- 电压 - 击穿(V(BR)GSS):25V
- 不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss):40mA @ 15V
- 不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):6V @ 1µA
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):30pF @ 10V(VGS)
- 电阻 - RDS(开):12 Ohms
- 功率 - 最大值:250mW
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
- 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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