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  • 深圳市威雅利发展有限公司

    5

    1352843831113528438311林小姐华强北路1019号华强广场A17E11012595

  • PH20100S 其他被动元件
  • NXP/恩智浦 
  • LFPAK 
  • 21+ 
  • 50000 
  • 终端可免费提供样品,欢迎咨询 
  • Email:2853032824@qq.com
  • 深圳市特莱科技有限公司

    4

    0755-82732821,0755-8255522619902921979,1992680324唐女士,何先生,江小姐华富路1046华康大厦2栋509室11013133

  • PH20100S 其他被动元件
  • NXP/恩智浦 
  • SOT669 
  • 10+PBF 
  • 2800 
  • 一级代理十三年品牌专营 
  • Email:1260141878@qq.com
  • 深圳市芯幂科技有限公司

    6

    133-0253950113302539501吴生深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824001011808

  • PH20100S,115
  • NXP Semiconductors 
  • 原厂原包 
  • 19+ 
  • 5660 
  • 只做原装 
  • Email:1599704250@qq.com
  • 深圳市明烽威电子有限公司

    10

    0755-8271653515118133175连焌烺深圳市福田区中航路都会100大厦B座14Q室深圳市明烽威电子有限公司11010700

  • PH20100S,115
  • NXP 
  • SMD 
  • 18+ 
  • 6348 
  • 只做进口原装正品 明烽威电子 
  • Email:597204924@qq.com
  • 深圳市诚瑞达电子有限公司

    11

    0755-8320321513691930083陈先生13691930083华强C座17F0100079

  • PH20100S,115
  • NXP 
  • SOT669 
  • 2020+ 
  • 800000 
  • 原装现货,欢迎来电咨询13691930083 陈R QQ718799448 
  • Email:rui1988good@163.com
PH2-10-SGA PDF资料
  • 资料下载
  • 制造商:ADAM-TECH[Adam Technologies, Inc.]
  • PDF文件大小:623.09 Kbytes
  • PDF文件页数:共5页
  • 描述:100 2.54 CENTERLINE PH SERIES
PH20100S,115技术规格
  • 系列:TrenchMOS™
  • FET类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):34.3A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):39nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2264pF @ 25V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 功率耗散(最大值):62.5W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):23 毫欧 @ 10A,10V
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SC-100,SOT-669
  • 封装形式Package:LFPAK
  • 极性Polarity:N-CH
  • 漏源极击穿电压VDSS:100V
  • 连续漏极电流ID:34.3A
  • 无铅情况/RoHs:
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