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  • 深圳市威雅利发展有限公司

    5

    1892463031018924630310蔡娜娜华强北路1019号华强广场A17E11012595

  • P2003BDG MOS(场效应管)
  • NIKO 
  • SOT-252 
  • 21+ 
  • 50000 
  • 终端可免费提供样品,欢迎咨询 
  • Email:3004236987@qq.com
  • 昊宇(深圳)半导体科技有限公司

    4

    1382692175213826921752张芯深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场2506A11013774

  • P2003BDG MOS(场效应管)
  • NIKO 
  • SOT-252 
  • 21+ 
  • 15000 
  • 原装正品,价格优势 
  • Email:haoyuic@126.com
  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

    7

    0755-2738127418098996457董先生华强广场C座18J11011910

  • P2003BE
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 946000 
  • 一级代理放心采购 
  • skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com
  • 深圳市天卓伟业电子有限公司

    7

    0755-8257355217302670049陈敏深圳市福田区华强北路1019号A座13楼11012046

  • P2003BE
  • AF 
  • DFN-83.3X3.3 
  • 19+ 
  • 11500 
  • 原装现货库存,接受订货,可开13%增值税发票 
  • Email:3004201508@qq.com
  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

    7

    0755-23941632-8322600513723794312朱先生0755-83249919深圳市福田区上步工业区201栋530室11011873

  • P2003BE
  • NIKO-SEM 
  • QFN-8 
  • 最新批号 
  • 865000 
  • 一级代理 特价现货 
  • Email:PHZHUJUNWEI@163.COM
P2003BVG PDF资料
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  • 制造商:UNIKC[Wuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD]
  • PDF文件大小:806.17 Kbytes
  • PDF文件页数:共8页
  • 描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
P2003EVG技术规格
  • 商品类型MOS(场效应管)
  • 漏源电压(Vdss)-30V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A
  • 栅源极阈值电压3V @ 250uA
  • 漏源导通电阻20mΩ @ 9A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W
  • 类型P沟道
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