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NTZD5110NT5G PDF资料
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- 制造商：ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小：68.92 Kbytes
- PDF文件页数：共5页
- 描述：Small Signal MOSFET
NTZD5110NT5G技术规格
- 标准包装：8,000
- 类别：分立半导体产品
- 家庭：FET - 阵列
- 系列：-
- 包装：带卷（TR）
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压（Vdss）：60V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：294mA
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.6 欧姆 @ 500mA，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.7nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：24.5pF @ 20V
- 功率 - 最大值：250mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：SOT-563
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