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  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司认证

    12

    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

    NTD5P06VT4

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    1万

  • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

    6

    0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

    NTD5P06VT4

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    配单首选

    1万

  • 国丰临科技(深圳)有限公司认证

    4

    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

    NTD5P06VT4

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    1万

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  • 现代芯城(深圳)科技有限公司

    8

    0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

  • NTD5P06VT4G
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 568000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳市天卓伟业电子有限公司

    8

    0755-8257355217302670049陈敏深圳市福田区华强北路1019号A座13楼11012046

  • NTD5P06VT4G
  • O 
  • TO-252 
  • 19+ 
  • 18000 
  • 终端可以免费供样,支持BOM配单!原装正品 

  • 深圳市骏凯诚科技有限公司

    5

    0755-8273180213652405995朱小姐深圳市福田区华强北街道上步工业区501栋401室我司诚信销售芯片十余载 原装的品质 合理的价格一直是我们发展的宗旨,期待您的咨询!QQ不稳定,如没有回复,请打电话0755-82731802或13652405995(微信同号)11013878

  • NTD5P06VT4G
  • VBSEMI 
  • TO-252 
  • 23+ 
  • 6000 
  • 只做原装 

  • 深圳市华康联电子科技有限公司

    7

    0755-8377118118570339653廖S0755-82541490深圳市 福田区 华强北街道 赛格广场4011A11012671

  • NTD5P06VT4G
  • ON 
  • TO-252 
  • 21+ 
  • 2588 
  • 原装正品,支持样品 

  • 深圳市惊羽科技有限公司

    4

    实-单-专-线----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回彭小姐深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室11016819

  • NTD5P06VT4
  • ON-安森美 
  • TO-252-3 
  • ▉▉:2年内 
  • ▉▉:57500 
  • ▉▉¥10一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 

  • 深圳市惊羽科技有限公司

    4

    实-单-专-线----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回彭小姐深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室11016818

  • NTD5P06VT4G
  • ON-安森美 
  • TO-252-3 
  • ▉▉:2年内 
  • ▉▉:78800 
  • ▉▉¥10一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 

  • 深圳市百域芯科技有限公司

    10

    400-666-538513043481413郑小姐0755-23616725世纪汇都会轩450711012940

  • NTD5P06VT4G
  • BYCHIP 
  • TO-252 
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  • 技术支持 参数选型 

NTD5P06VT4 PDF资料
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  • 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
  • PDF文件大小:92.59 Kbytes
  • PDF文件页数:共8页
  • 描述:Power MOSFET 5 Amps, 60 Volts P−Channel DPAK
NTD60N02R技术规格
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):25V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta),32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1330pF @ 20V
  • 功率耗散(最大值):1.25W(Ta),58W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:DPAK
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
  • 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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