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    • 国丰临科技（深圳）有限公司认证

      4年

      0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578

      NTD5865NLG

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

      6年

      0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480：微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

      NTD5865NLG

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司认证

      12年

      0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

      NTD5865NLG

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    更多收回

    • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

      8年

      0755-2738127418098996457董先生华强广场C座18J11011910

    • NTD5865NLG
    • 一级代理　
    • 一级代理　
    • 一级代理　
    • 125000　
    • 一级代理放心采购　

    • 深圳市惊羽科技有限公司

      4年

      实-单-专-线----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回彭小姐深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室11016818

    • NTD5865NLG
    • ON-安森美　
    • TO-251-3　
    • ▉▉：2年内　
    • ▉▉：78800　
    • ▉▉￥10一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库　

    • 深圳市芯幂科技有限公司

      9年

      133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

    • NTD5865NLG
    • 今天已更新库存　
    • TO251　
    • 18+　
    • 6520　
    • 原装正品　

    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

      8年

      0755-8254257919924492152董先生深圳市福田区振中路华强广场B座28F11011909

    • NTD5865NLT4G
    • 一级代理　
    • 一级代理　
    • 一级代理　
    • 312000　
    • 一级代理放心采购　

    • 深圳市诚瑞达电子有限公司

      13年

      0755-8320321513691930083陈先生13691930083华强C座17F0100079

    • NTD5865NLT4G
    • ON　
    • DPAK3WSMTPBF　
    • 2020+　
    • 800000　
    • NFET DPAK 60V 34A 18MOHM　

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    NTD5865NLT4G PDF资料
    • 资料下载
    • 制造商：ONSEMI[ON Semiconductor]
    • PDF文件大小：275.43 Kbytes
    • PDF文件页数：共7页
    • 描述：N-Channel Power MOSFET 60 V, 40 A, 16 mΩ
    NTD5865NLT4G技术规格
    • FET类型：N 沟道
    • 技术：MOSFET（金属氧化物）
    • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：46A（Tc）
    • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
    • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
    • 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V
    • 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 25V
    • Vgs（最大值）：±20V
    • 功率耗散（最大值）：71W（Tc）
    • 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：16 毫欧 @ 20A，10V
    • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
    • 安装类型：表面贴装
    • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
    • 封装形式Package：DPAK
    • 极性Polarity：N-CH
    • 漏源极击穿电压VDSS：60V
    • 连续漏极电流ID：46A
    • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V
    • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1400pF @ 25V
    • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：16 毫欧 @ 20A，10V
    • FET 类型：N 沟道
    • 漏源极电压（Vdss）：60V
    • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：46A（Tc）
    • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
    • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
    • 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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