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    • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

      6年

      0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480：微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

      NTD5802NS

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 国丰临科技（深圳）有限公司认证

      4年

      0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578

      NTD5802NS

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司认证

      12年

      0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

      NTD5802NS

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    更多收回

    • 深圳市百域芯科技有限公司

      10年

      400-666-538513043481413郑小姐0755-23616725世纪汇都会轩450711012940

    • NTD5802NS
    • BYchip/百域芯　
    • TO-252　
    • 21+　
    • 30000　
    • 百域芯原厂出品品质保证可开13点增值税　

    • 深圳市芯幂科技有限公司

      9年

      133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

    • NTD5802NT4G
    • ON　
    • DPAK　
    • 19+　
    • 5660　
    • 只做原装　

    • 深圳市诚瑞达电子有限公司

      13年

      0755-8320321513691930083陈先生13691930083华强C座17F0100079

    • NTD5802NT4G
    • ON　
    • DPAK3WSMTPBF　
    • 2020+　
    • 800000　
    • NFET DPAK 40V 16.4A 5.0MO　

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    NTD5802NT4G PDF资料
    • 资料下载
    • 制造商：ONSEMI[ON Semiconductor]
    • PDF文件大小：107.56 Kbytes
    • PDF文件页数：共7页
    • 描述：Power MOSFET
    NTD5802NT4G技术规格
    • 制造商:ON Semiconductor
    • 产品种类:MOSFET
    • RoHS:是
    • 技术:Si
    • 安装风格:SMD/SMT
    • 封装 / 箱体:TO-252-3
    • 通道数量:1 Channel
    • 晶体管极性:N-Channel
    • Vds-漏源极击穿电压:40 V
    • Id-连续漏极电流:101 A
    • Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms
    • Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
    • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
    • Qg-栅极电荷:75 nC
    • 最小工作温度:- 55 C
    • 最大工作温度:+ 175 C
    • Pd-功率耗散:93.75 W
    • 配置:Single
    • 通道模式:Enhancement
    • 封装:Cut Tape
    • 封装:MouseReel
    • 封装:Reel
    • 高度:2.38 mm
    • 长度:6.73 mm
    • 系列:NTD5802N
    • 晶体管类型:1 N-Channel
    • 类型:Power MOSFET
    • 宽度:6.22 mm
    • 商标:ON Semiconductor
    • 正向跨导 - 最小值:16.8 S
    • 下降时间:8.5 ns
    • 产品类型:MOSFET
    • 上升时间:52 ns
    • 工厂包装数量:2500
    • 子类别:MOSFETs
    • 典型关闭延迟时间:39 ns
    • 典型接通延迟时间:14 ns
    • 单位重量:4 g
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