筛选结果：供应商共有家随时为您服务
- 供应商
- 型号
- 品牌
- 封装
- 批号
- 库存数量
- 备注
- 询价
NP100P04PDG-E1-AY PDF资料
- 资料下载
- 制造商：NEC[NEC]
- PDF文件大小：190.95 Kbytes
- PDF文件页数：共7页
- 描述：MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NP100P04PDG-E1-AY技术规格
- FET 类型：P 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：320nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：15100pF @ 10V
- 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），200W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 50A，10V
- 工作温度：175°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件封装：TO-263
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
购买、咨询产品请填写询价信息：(3分钟左右您将得到回复)
