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  • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

    6

    0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

    MMFT6P02T3G

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    1万

  • 国丰临科技(深圳)有限公司认证

    4

    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

    MMFT6P02T3G

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    1万

  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司认证

    12

    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

    MMFT6P02T3G

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    1万

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  • 深圳市天卓伟业电子有限公司

    8

    0755-8257355217302670049陈敏深圳市福田区华强北路1019号A座13楼11012046

  • MMFT6P02T3G
  • ON 
  • TO-223 
  • 19+ 
  • 11500 
  • 原装现货库存,接受订货,可开13%增值税发票 

  • 深圳市坤融电子有限公司

    16

    0755-2399097517318082080,13510287235肖瑶,树平航都大厦11FG11012384

  • MMFT6P02T3G
  • ON/安森美 
  • TO-223 
  • 2021+ 
  • 19860 
  • 100%原装进口现货 

  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

    8

    0755-2738127418098996457董先生华强广场C座18J11011910

  • MMFT6P02T3G
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 一级代理 
  • 462000 
  • 一级代理放心采购 

  • 深圳和润天下电子科技有限公司

    9

    13378422395,19129491930蔡经理,张小姐深港合作区前湾一路1号A栋201室面向全世界客户,原装现货,亿万库存,专业BOM表一站式配单,欢迎询价!电话:13378422395,19129491930(微信同号)11014984

  • MMFT6P02T3G
  • ON 
  • TO-223 
  • 22+ 
  • 10000 
  • 终端免费提供样品可开13%增值税发票 

  • 京海半导体(深圳)有限公司

    5

    1894817696818948176968坂田街道五和大道山海大厦C栋70611013599

  • MMFT6P02T3G
  • ON 
  • TO-223 
  • 22+ 
  • 21380 
  • 原厂授权代理!只做原装!支持任意机构检测!!! 

  • 深圳市惊羽科技有限公司

    4

    实-单-专-线----135-7521-2775135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回彭小姐深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室11016818

  • MMFT6P02T3G
  • ON-安森美 
  • SOT-223 
  • ▉▉:2年内 
  • ▉▉:78800 
  • ▉▉¥10一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 

  • 深圳市威雅利发展有限公司

    7

    1812404712018124047120韩雪华强北路1019号华强广场A16楼01012660

  • MMFT6P02T3G
  • NXP/恩智浦 
  • TO-220-3 
  • 20+ 
  • 25200 
  • 终端可以免费供样,支持BOM配单! 

MMFT70R380P PDF资料
  • 资料下载
  • 制造商:MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.]
  • PDF文件大小:1227.07 Kbytes
  • PDF文件页数:共10页
  • 描述:700V 0.38(ohm) N-channel MOSFET
MMFT960T1技术规格
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):300mA(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):3.2nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):65pF @ 25V
  • 功率耗散(最大值):800mW(Ta)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.7 欧姆 @ 1A,10V
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:SOT-223
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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