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MJE15034G PDF资料
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- 制造商:ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小:74.29 Kbytes
- PDF文件页数:共5页
- 描述:4.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 350 VOLTS, 50 WATTS
MJE15034G技术规格
- 制造商:ON Semiconductor
- 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
- RoHS:是
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-220-3
- 晶体管极性:NPN
- 配置:Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:350 V
- 集电极—基极电压 VCBO:350 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
- 集电极—射极饱和电压:0.5 V
- 最大直流电集电极电流:4 A
- 增益带宽产品fT:30 MHz
- 最小工作温度:- 65 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- 系列:MJE15034
- 高度:15.75 mm
- 长度:10.53 mm
- 封装:Tube
- 宽度:4.83 mm
- 商标:ON Semiconductor
- 集电极连续电流:4 A
- Pd-功率耗散:50 W
- 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
- 工厂包装数量:50
- 子类别:Transistors
- 单位重量:6 g
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