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  • 深圳市安富世纪电子有限公司

    4

    0755-8318578913392184612邱婷婷0755-83290789深圳市福田区华强北路1019号A座17楼11012595

  • LM5109ASD/NOPB 其他被动元件
  • TI/德州仪器 
  • WSON8 
  • 21+ 
  • 50000 
  • 只有正品原装原厂渠道 
  • Email:2853032824@qq.com
  • 深圳诚思涵科技有限公司

    6

    0755-83015506,2394723615820783671朱先生,曾小姐0755-82815131深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室11011880

  • LM5109ASDX
  • Texas Instruments 
  • 8-WDFN 
  • 18+ 
  • 2000 
  • 原装正品 
  • Email:sas1988@163.com
  • 深圳市辉华拓展电子有限公司

    9

    0755-82564006,0755-23903180,0755-8328688218188616613朱小姐18188616613华富路航都大厦11F11010804

  • LM5109ASDX
  • NS国半 
  • LLP-8 
  • 19+ 
  • 1897 
  • 支持BOM表配套 配单 
  • Email:sam@678ic.com
  • 深圳市芯幂科技有限公司

    6

    133-0253950113302539501吴生深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824001011808

  • LM5109ASDX
  • Texas Instruments 
  • 8-WDFN 
  • 19+ 
  • 5660 
  • 只做原装 
  • Email:1599704250@qq.com
LM5109ASDX PDF资料
  • 资料下载
  • 制造商:NSC[National Semiconductor]
  • PDF文件大小:663.52 Kbytes
  • PDF文件页数:共9页
  • 描述:High Voltage 1A Peak Half Bridge Gate Driver
LM5109ASDX技术规格
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:独立式
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 电源:8 V ~ 14 V
  • 逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.2V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1A,1A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):108V
  • 上升/下降时间(典型值):15ns,15ns
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装:8-WSON(4x4)
  • 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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