筛选结果:供应商共有家随时为您服务
- 供应商
- 型号
- 品牌
- 封装
- 批号
- 库存数量
- 备注
- 询价
IXFN82N60P PDF资料
- 资料下载
- 制造商:IXYS[IXYS Corporation]
- PDF文件大小:158.13 Kbytes
- PDF文件页数:共5页
- 描述:PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN82N60P技术规格
- 制造商:IXYS
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:Chassis Mount
- 封装 / 箱体:SOT-227-4
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:600 V
- Id-连续漏极电流:72 A
- Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms
- Vgs th-栅源极阈值电压:5 V
- Vgs - 栅极-源极电压:30 V
- Qg-栅极电荷:240 nC
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:1.04 kW
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商标名:HiPerFET
- 封装:Tube
- 高度:12.22 mm
- 长度:38.23 mm
- 系列:IXFN82N60
- 晶体管类型:1 N-Channel
- 类型:Polar HiPerFET Power MOSFET
- 宽度:25.42 mm
- 商标:IXYS
- 正向跨导 - 最小值:50 S
- 下降时间:24 ns
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:23 ns
- 工厂包装数量:10
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:79 ns
- 典型接通延迟时间:28 ns
- 单位重量:30 g
购买、咨询产品请填写询价信息:(3分钟左右您将得到回复)