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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
14年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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深圳市芯幂科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同号)Alien深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240511012790
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IRL640STRL PDF资料
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- 制造商:Vishay Siliconix
- PDF文件大小:1009.26 Kbytes
- PDF文件页数:共10页
- 描述:MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
IRL640STRL技术规格
- FET 类型:N 沟道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):200V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):66nC @ 5V
- Vgs(最大值):±10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1800pF @ 25V
- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta),125W(Tc)
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):180 毫欧 @ 10A,5V
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
- 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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