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IRFIZ24E PDF资料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大小：114.75 Kbytes
- PDF文件页数：共8页
- 描述：Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.071ohm, Id=14A)
IRFIZ24E技术规格
- 标准包装：50
- 类别：分立半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HEXFET®
- 包装：管件
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压（Vdss）：60V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：14A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：71 毫欧 @ 7.8A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：370pF @ 25V
- 功率 - 最大值：29W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 整包
- 供应商器件封装：TO-220AB 整包
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