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  • 深圳市芯幂科技有限公司

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    133-0253950113302539501吴生深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824001011808

  • IRFIZ14NG
  • IOR 
  • TO-220F 
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  • 原装正品 
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  • 深圳市威雅利发展有限公司

    5

    1992875491813528438311林小姐华强北路1019号华强广场A17E11012595

  • IRFIZ15N
  • IR 
  • TO-220F 
  • 19+ 
  • 6655 
  • 原厂代理,终端免费提供样品 
  • Email:2881358671@qq.com
  • 深圳市百视威讯电子科技有限公司

    7

    0755-2738127418098996457董先生华强广场C座18J11011910

  • IRFIZ15NPBF
  • 一级代理 
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  • 125000 
  • 一级代理放心采购 
  • skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com
  • 深圳市坤融电子有限公司

    11

    0755-8279089213926529829微信肖瑶深南中路都会轩1711-171311012384

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  • 专业配单100%原装进口 
  • Email:3008475315@qq.com
IRFIZ24E PDF资料
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  • 制造商:IRF[International Rectifier]
  • PDF文件大小:114.75 Kbytes
  • PDF文件页数:共8页
  • 描述:Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.071ohm, Id=14A)
IRFIZ24E技术规格
  • 标准包装:50
  • 类别:分立半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • 包装:管件
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):71 毫欧 @ 7.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):370pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:29W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220AB 整包
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