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IRFIZ14GPBF PDF资料
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- 制造商：VISHAY[Vishay Siliconix]
- PDF文件大小：1021.38 Kbytes
- PDF文件页数：共8页
- 描述：Power MOSFET
IRFIZ14GPBF技术规格
- FET类型：N 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：8A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：300pF @ 25V
- Vgs（最大值）：±20V
- 功率耗散（最大值）：27W（Tc）
- 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：200 毫欧 @ 4.8A，10V
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
- 封装形式Package：TO-220-3
- 极性Polarity：N-CH
- 漏源极击穿电压VDSS：60V
- 连续漏极电流ID：8A
- 漏源极导通电阻RDS(ON)：200mOhms
- 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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