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IRFIZ14G PDF资料
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- 制造商：IRF[International Rectifier]
- PDF文件大小：185.99 Kbytes
- PDF文件页数：共6页
- 描述：HEXFET Power MOSFET
IRFIZ14G技术规格
- FET 类型：N 沟道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：11nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：300pF @ 25V
- 功率耗散（最大值）：27W（Tc）
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 4.8A，10V
- 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220-3
- 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
- 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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