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IRFH5053TR2PBF PDF资料
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大小:261.82 Kbytes
- PDF文件页数:共10页
- 描述:MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
IRFH5053TR2PBF技术规格
- 标准包装:1
- 类别:分立半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- 包装:剪切带(CT)
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.3A(Ta),46A(Tc)
- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 9.3A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 100µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1510pF @ 50V
- 功率 - 最大值:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PQFN(5x6)单芯片焊盘
- 其它名称:IRFH5053TR2PBFCT
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