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  • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

    6

    0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

    IPD180N10N3GXT

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  • 国丰临科技(深圳)有限公司认证

    4

    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

    IPD180N10N3GXT

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  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司认证

    12

    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

    IPD180N10N3GXT

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  • 深圳创德兴科技有限公司

    9

    0755-8278007813418730030方小姐深圳市福田区华强北路1016号宝华大厦A座A130511015914

  • IPD18DP10LMATMA1
  • Infineon(英飞凌) 
  • TO-252-3 
  • 22+ 
  • 30630  
  • 原装现货,实单终结者,够胆就来碰一碰! 

  • 深圳市星辰微电科技有限公司

    4

    0755-8271327919230195608雷先生深圳市福田区华强北街道华航社区华强北 路3011号上步工业区102栋东600411016760

  • IPD18DP10LM
  • Infineon 
  • PG-TO252-3 
  • 23+ 
  • 24500 
  • 英飞凌优势渠道全系列在售 

  • 奋钧智能(深圳)科技有限公司

    5

    0755-83229740/07552871170915773539469王小姐0755-82787892深圳市龙岗区雅宝路1号星河WORLD一期A座130611015545

  • IPD18DP10LM
  • Infineon/英飞凌 
  • PG-TO252-3 
  • 23+ 
  • 100000 
  • 可追溯原厂,只售原装正品 

IPD18DP10LMATMA1 PDF资料
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  • 制造商:Infineon Technologies
  • PDF文件大小:1.79 Mbytes
  • PDF文件页数:共11页
  • 描述:表面贴装型 P 通道 100 V 2.5A(Ta), 13.9A(Tc) 3W(Ta),83W(Tc) PG-TO252-3
IPD200N15N3 G技术规格
  • 封装/外壳:PG-TO252-3
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 通道数量:1Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:150V
  • Id-连续漏极电流:50A
  • Rds On-漏源导通电阻:16mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20V
  • Qg-栅极电荷:31nC
  • 最小工作温度:-55C
  • 最大工作温度:+175C
  • 配置:Single
  • Pd-功率耗散:150W
  • 通道模式:Enhancement
  • 高度:2.3mm
  • 长度:6.5mm
  • 晶体管类型:1N-Channel
  • 宽度:6.22mm
  • 正向跨导 - 最小值:29S
  • 下降时间:6ns
  • 上升时间:11ns
  • 典型关闭延迟时间:23ns
  • 典型接通延迟时间:14ns
  • Packing Type:TAPE & REEL
  • Moisture Level:1
  • RDS (on) max:20.0mΩ
  • IDpuls max:200.0A
  • VDS max:150.0V
  • ID max:50.0A
  • QG (typ @10V):23.0 nC
  • Package:DPAK (TO-252)
  • Rth:1.0K/W
  • Operating Temperature min max:-55.0 °C 175.0 °C
  • Budgetary Price €€/1k:0.85
  • Ptot max:150.0W
  • Polarity:N
  • Coss:214.0 pF
  • Ciss:1820.0pF
  • VGS(th) min max:2.0V 4.0V
  • VGS(th) (typ) min max:3.0 V 2.0 V 4.0 V
  • 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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