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IKW40N120H3 PDF资料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大小:2191.49 Kbytes
- PDF文件页数:共16页
- 描述:1200V high speed switching series third generation
IKW40N120H3技术规格
- 制造商:Infineon
- 产品种类:IGBT 晶体管
- RoHS:是
- 技术:Si
- 封装 / 箱体:TO-247-3
- 安装风格:Through Hole
- 配置:Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
- 集电极—射极饱和电压:2.05 V
- 栅极/发射极最大电压:20 V
- 在25 C的连续集电极电流:80 A
- Pd-功率耗散:483 W
- 最小工作温度:- 40 C
- 最大工作温度:+ 175 C
- 系列:HighSpeed 3
- 封装:Tube
- 集电极最大连续电流 Ic:80 A
- 商标:Infineon Technologies
- 栅极—射极漏泄电流:600 nA
- 产品类型:IGBT Transistors
- 工厂包装数量:240
- 子类别:IGBTs
- 商标名:TRENCHSTOP
- 零件号别名:IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP000674416
- 单位重量:38 g
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