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国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
IDT71V35761SA200BQI8
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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
IDT71V35761SA200BQI8
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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IDT71V35761SA200BQI8 PDF资料
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- 制造商:Renesas Electronics America Inc
- PDF文件大小:321.73 Kbytes
- PDF文件页数:共23页
- 描述:SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 4.5Mb(128K x 36) 并联 200 MHz 3.1 ns 165-CABGA(13x15)
IDT71V35761SA200BQI8技术规格
- PCN Obsolescence:Multiple Devices 05/Nov/2008
- 标准包装:2,000
- 类别:集成电路 (IC)
- 家庭:存储器
- 系列:-
- 包装:带卷 (TR)
- 格式 - 存储器:RAM
- 存储器类型:SRAM - 同步
- 存储容量:4.5M(128K x 36)
- 速度:200MHz
- 接口:并联
- 电压 - 电源:3.135 V ~ 3.465 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:165-TBGA
- 供应商器件封装:165-CABGA(13x15)
- 其它名称:71V35761SA200BQI8
- ROHS: 含铅
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