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IDH08SG60C PDF资料
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- 制造商:INFINEON[Infineon Technologies AG]
- PDF文件大小:235.62 Kbytes
- PDF文件页数:共7页
- 描述:3rd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
IDH08SG60C技术规格
- 封装/外壳:PG-TO220-2
- 安装风格:ThroughHole
- If - 正向电流:8A
- Vrrm - 重复反向电压:600V
- Vf - 正向电压:2.1V
- Ifsm - 正向浪涌电流:42A
- 配置:Single
- Ir - 反向电流:70uA
- 最小工作温度:-55C
- 最大工作温度:+175C
- 系列:IDH08SG60
- 高度:9.45mm(Max)
- 长度:10.2mm(Max)
- 工作温度:-55Cto+175C
- 宽度:4.5mm(Max)
- Packing Type:TUBE
- Moisture Level:NA
- Package:TO-220 real 2pin
- Budgetary Price €/1k:2.0
- Ptot max:100.0W
- IF max:8.0A
- VF:1.8V
- IR:0.6 µA
- I(FSM) max:42.0A
- QC:12.0 nC
- VDC min:600.0V
- 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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