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    • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

      6年

      0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480：微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

      HAT2261HELE

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 国丰临科技（深圳）有限公司认证

      4年

      0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578

      HAT2261HELE

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司认证

      12年

      0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

      HAT2261HELE

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    更多收回

    • 集好芯城

      16年

      0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

    • HAT2265H-E1
    • RENESAS　
    • 669　
    • 最新批?　
    • 14091　
    • 原厂原装现货匹配　

    • 深圳创芯佳业科技有限公司

      8年

      0755-8326777413925253466蔡先生，谢小姐深圳市福田区华强电子世界23C120室深圳创芯佳业科技有限公司主营：NXP、TI、ADI、ON、ST、Maxim、microchip等进口原装正品集成IC！支持订货，支持含税，承接Bom表配单！实单必成，欢迎电话/微信/QQ咨询：蔡先生/谢小姐11016192

    • HAT2265H-E1
    • RENESAS　
    • 669　
    • 09+　
    • 5000　
    • 只做原装正品，支持含税　

    • 深圳市芯幂科技有限公司

      9年

      133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

    • HAT2265H
    • RENESAS　
    • SOT669　
    • 18+　
    • 6520　
    • 原装正品　

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    HAT2261H-EL-E PDF资料
    • 资料下载
    • 制造商：Renesas Electronics America Inc
    • PDF文件大小：77.59 Kbytes
    • PDF文件页数：共10页
    • 描述：MOSFET N-CH 30V 45A 5LFPAK
    HAT2261H-EL-E技术规格
    • FET 类型：N 沟道
    • 技术：MOSFET（金属氧化物）
    • 漏源电压（Vdss）：30V
    • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：45A（Ta）
    • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
    • 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：27nC
    • 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
    • Vgs（最大值）：±20V
    • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：4400pF
    • 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：10V
    • 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
    • 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.8 毫欧 @ 22.5A，10V
    • 工作温度：150°C（TJ）
    • 安装类型：表面贴装
    • 供应商器件封装：5-LFPAK
    • 封装/外壳：SC-100，SOT-669
    • 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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