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    • 国丰临科技（深圳）有限公司认证

      4年

      0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578

      G3R350MT12J

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 柒号芯城电子商务（深圳）有限公司认证

      12年

      0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

      G3R350MT12J

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

      6年

      0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480：微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

      G3R350MT12J

      配单
      直通车
      -
      -
      -
      -
      配单首选

      保1万

    更多收回

    • 集好芯城

      16年

      0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

    • G3R40MT12D
    • GeneSiCSemiconductor　
    • TO-247　
    • 23+　
    • 35000　
    • ★★100%原装★正品现货★一级代理商★　

    • 集好芯城

      16年

      0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

    • G3R40MT12J
    • GeneSiCSemiconductor　
    • TO-263-7　
    • 23+　
    • 35000　
    • ★★100%原装★正品现货★一级代理商★　

    • 集好芯城

      16年

      0755-8328588218188616606陈妍深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼11010804

    • G3R40MT12K
    • GeneSiCSemiconductor　
    • TO-247-4　
    • 23+　
    • 35000　
    • ★★100%原装★正品现货★一级代理商★　

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    G3R350MT12J PDF资料
    • 资料下载
    • 制造商：GENESIC[GeneSiC Semiconductor, Inc.]
    • PDF文件大小：1346.75 Kbytes
    • PDF文件页数：共14页
    • 描述：Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
    G3R350MT12J技术规格
    • 制造商GeneSiC Semiconductor
    • 系列G3R?
    • 包装管件
    • FET 类型N 通道
    • 技术SiCFET（碳化硅）
    • 漏源电压（Vdss）1200 V
    • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A（Tc）
    • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）15V
    • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）420 毫欧 @ 4A，15V
    • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.69V @ 2mA
    • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）12 nC @ 15 V
    • Vgs（最大值）±15V
    • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）334 pF @ 800 V
    • FET 功能-
    • 功率耗散（最大值）75W（Tc）
    • 工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
    • 安装类型表面贴装型
    • 供应商器件封装TO-263-7
    • 封装/外壳TO-263-8，D2Pak（7 引线+接片），TO-263CA
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