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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
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- 制造商:Infineon Technologies
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- 描述:IGBT 模块
FS55MR12W1M1HB11NPSA1技术规格
- 产品IGBT Silicon Carbide Modules
- 配置6-Pack
- 集电极—发射极最大电压 VCEO1200 V
- 集电极—射极饱和电压-
- 在25 C的连续集电极电流15 A
- 栅极—射极漏泄电流400 nA
- Pd-功率耗散-
- 封装 / 箱体
- 最小工作温度- 40 C
- 最大工作温度+ 175 C
- 资格
- 封装Tray
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