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  • 国丰临科技(深圳)有限公司认证

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    0755-8860448418038004416国利大厦2701室11016578

    FDMS86580

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  • 深圳市深创鑫科技有限公司认证

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    0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815

    FDMS86580

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  • 柒号芯城电子商务(深圳)有限公司认证

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    0755-83663056189293740370755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516

    FDMS86580

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  • 深圳市芯福林电子科技有限公司

    7

    1360254970913602549709李生深圳市福田区华强北路1002号赛格广场66楼6608B芯福林电子11015898

  • FDMS86580-F085
  • onsemi 
  •  
  • 22+ 
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  • 原装正品!自家现货库存!  

  • 深圳市芯幂科技有限公司

    9

    133-0253950113302539501张小姐深圳市福田区华强电子世界1号楼10A824012301011808

  • FDMS86580-F085
  • ON Semiconductor / Fairchild 
  • 原装 
  • 2019+ 
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  • 原装正品 

FDMS86580-F085 PDF资料
  • 资料下载
  • 制造商:ON Semiconductor / Fairchild
  • PDF文件大小:2.43 Mbytes
  • PDF文件页数:共9页
  • 描述:MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET
FDMS86580-F085技术规格
  • FET 类型:N 沟道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.2V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):30nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1430pF @ 30V
  • 功率耗散(最大值):75W(Tj)
  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):9.6 毫欧 @ 50A,10V
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:Power56
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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