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FDC634P PDF资料
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- 制造商:FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]
- PDF文件大小:71.45 Kbytes
- PDF文件页数:共4页
- 描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDC634P技术规格
- 制造商:ON Semiconductor
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SSOT-6
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:P-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:20 V
- Id-连续漏极电流:3.5 A
- Rds On-漏源导通电阻:80 mOhms
- Vgs - 栅极-源极电压:8 V
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:1.6 W
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 商标名:PowerTrench
- 封装:Cut Tape
- 封装:MouseReel
- 封装:Reel
- 高度:1.1 mm
- 长度:2.9 mm
- 产品:MOSFET Small Signal
- 系列:FDC634P
- 晶体管类型:1 P-Channel
- 类型:MOSFET
- 宽度:1.6 mm
- 商标:ON Semiconductor / Fairchild
- 正向跨导 - 最小值:11 S
- 下降时间:9 ns
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:9 ns
- 工厂包装数量:3000
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:27 ns
- 典型接通延迟时间:10 ns
- 零件号别名:FDC634P_NL
- 单位重量:30 mg
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