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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480：微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
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国丰临科技（深圳）有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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F3L75R07W2E3B11BOMA1 PDF资料
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- 制造商：Infineon Technologies
- PDF文件大小：816.18 Kbytes
- PDF文件页数：共11页
- 描述：IGBT MODULE 650V 95A 250W
F3L75R07W2E3B11BOMA1技术规格
- IGBT 类型：沟槽型场截止
- 配置：三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：95A
- 功率 - 最大值：250W
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：1.9V @ 15V，75A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）：4.6nF
- 电压，耦合至输入电容（Cies）@ Vce：25V
- 输入：标准
- NTC 热敏电阻：是
- 工作温度：-40°C ~ 150°C
- 安装类型：底座安装
- 封装/外壳：AG-EASY2B-2
- 供应商器件封装：模块
- 配置：串行
- 最大连续集电极电流：95 A
- 最大集电极-发射极电压：650 V
- 最大栅极发射极电压：±20V
- 通道类型：N
- 安装类型：PCB（印刷电路板）安装
- 封装类型：EASY2B
- 引脚数目：27
- 开关速度：1MHz
- 最大功率耗散：250 W
- 尺寸：56.7 x 48 x 12mm
- 高度：12mm
- 长度：56.7mm
- 最高工作温度：+150 °C
- 宽度：48mm
- 最低工作温度：-40 °C
- 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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