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深圳市芯幂科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同号)Alien深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240511012790
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
14年
0755-8366305618922805453,18929374037,18922803401连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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DMN63D8L-13 PDF资料
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- 制造商:Diodes Incorporated
- PDF文件大小:517.30 Kbytes
- PDF文件页数:共6页
- 描述:MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW
DMN63D8L-13技术规格
- 制造商:Diodes Incorporated
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:SMD/SMT
- 封装 / 箱体:SOT-23-3
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:30 V
- Id-连续漏极电流:350 mA
- Rds On-漏源导通电阻:2.8 Ohms
- Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V
- Vgs - 栅极-源极电压:10 V
- Qg-栅极电荷:900 pC
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:350 mW
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封装:Cut Tape
- 封装:MouseReel
- 封装:Reel
- 高度:0.975 mm
- 长度:2.9 mm
- 系列:DMN63D8L
- 晶体管类型:1 N-Channel
- 宽度:1.3 mm
- 商标:Diodes Incorporated
- 正向跨导 - 最小值:80 mS
- 下降时间:16.7 ns
- 产品类型:MOSFET
- 上升时间:3.9 ns
- 工厂包装数量:10000
- 子类别:MOSFETs
- 典型关闭延迟时间:11.4 ns
- 典型接通延迟时间:2.3 ns
- 单位重量:8 mg
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