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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
DF200R12W1H3B27BOMA1
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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
DF200R12W1H3B27BOMA1
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国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
DF200R12W1H3B27BOMA1
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- 制造商:Infineon Technologies
- PDF文件大小:743.99 Kbytes
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- 描述:IGBT MOD 1200V 30A 375W
DF200R12W1H3B27BOMA1技术规格
- 包装散装
- 系列-
- 零件状态有源
- IGBT 类型-
- 配置2 个独立式
- 电压 - 集射极击穿(最大值)1200V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)30A
- 功率 - 最大值375W
- 不同Vge,Ic 时的Vce(on)1.3V @ 15V, 30A
- 电流 - 集电极截止(最大值)1mA
- 不同Vce 时的输入电容(Cies)2nF @ 25V
- 输入标准
- NTC 热敏电阻是
- 工作温度-40°C ~ 150°C
- 安装类型底座安装
- 封装/外壳模块
- 供应商器件封装模块
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