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CSD75211W1723 PDF资料
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- 制造商:TI[Texas Instruments]
- PDF文件大小:415.77 Kbytes
- PDF文件页数:共10页
- 描述:Dual P-Channel NexFET⢠Power MOSFET
CSD75211W1723技术规格
- 产品培训模块:NexFET MOSFET Technology
- 视频文件:NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
- 标准包装:3,000
- 类别:分立半导体产品
- 家庭:FET - 阵列
- 系列:NexFET??
- 包装:带卷(TR)
- FET 类型:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A
- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 2A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):600pF @ 10V
- 功率 - 最大值:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:12-UFBGA,DSBGA
- 供应商器件封装:12-DSBGA(1.53x1.98)
- 其它名称:296-27598-2
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