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国丰临科技(深圳)有限公司
4年
0755-8860448418038004416郭国利大厦2701室11016578
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深圳市深创鑫科技有限公司
6年
0755-82767825,0755-8257830813530800189“15118121480:微信同号曹瑞82578308深圳市福田区深南中路3006号佳和5C05811012815
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
12年
0755-8366305618929374037连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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BUK7Y07-30B,115 PDF资料
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- 制造商:Nexperia
- PDF文件大小:758.17 Kbytes
- PDF文件页数:共14页
- 描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET
BUK7Y07-30B,115技术规格
- FET 类型:N 沟道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):31nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1773pF @ 25V
- 功率耗散(最大值):105W(Tc)
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7 毫欧 @ 25A,10V
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8
- 封装/外壳:SC-100,SOT-669
- 电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs:10V
- 电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds:25V
- 无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs
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