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BS170F PDF资料
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- 制造商:ETC1[List of Unclassifed Manufacturers]
- PDF文件大小:23.91 Kbytes
- PDF文件页数:共1页
- 描述:SOT23 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
BS170-D75Z技术规格
- 制造商:ON Semiconductor
- 产品种类:MOSFET
- RoHS:是
- 技术:Si
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-92-3
- 通道数量:1 Channel
- 晶体管极性:N-Channel
- Vds-漏源极击穿电压:60 V
- Id-连续漏极电流:500 mA
- Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms
- Vgs - 栅极-源极电压:20 V
- 最小工作温度:- 55 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- Pd-功率耗散:830 mW
- 配置:Single
- 通道模式:Enhancement
- 封装:Ammo Pack
- 高度:5.33 mm
- 长度:5.2 mm
- 产品:MOSFET Small Signal
- 系列:BS170
- 晶体管类型:1 N-Channel
- 类型:FET
- 宽度:4.19 mm
- 商标:ON Semiconductor / Fairchild
- 正向跨导 - 最小值:0.32 S
- 产品类型:MOSFET
- 工厂包装数量:2000
- 子类别:MOSFETs
- 零件号别名:BS170_D75Z
- 单位重量:286 mg
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