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深圳市芯幂科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同号)Alien深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240511012790
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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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BDX53CG PDF资料
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- 制造商：ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小：87.39 Kbytes
- PDF文件页数：共7页
- 描述：Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
BDX53CG技术规格
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：2V @ 12mA，3A
- 电流-集电极截止（最大值）：500µA
- 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：750 @ 3A，3V
- 功率-最大值：65W
- 工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 封装形式Package：TO-220AB
- 极性Polarity：NPN
- 集电极最大允许电流Ic：8A
- 集电极_发射极击穿电压VCEO：100V
- 最大集电极截止电流：500 uA
- 最小工作温度：- 65 C
- 直流集电极/Base Gain hfe Min：750
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：100 V
- 集电极连续电流：4 A
- 功率耗散：40 W
- 发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
- 安装风格：Through Hole
- 封装/外壳：Tube
- 晶体管极性：NPN
- 最大工作温度：+ 150 C
- 最大直流电集电极电流：8 A
- 无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
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