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柒号芯城电子商务（深圳）有限公司
14年
0755-8366305618922805453，18929374037，18922803401连0755-82537787深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼11016516
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深圳市芯幂科技有限公司
11年
1326708877413267088774 (微信同号)Alien深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240511012790
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BDX34BG PDF资料
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- 制造商：ONSEMI[ON Semiconductor]
- PDF文件大小：73.67 Kbytes
- PDF文件页数：共6页
- 描述：Darlington Complementary Silicon Power Transistors
BDX34BG技术规格
- 制造商:ON Semiconductor
- 产品种类:达林顿晶体管
- RoHS:是
- 配置:Single
- 晶体管极性:PNP
- 集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V
- 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
- 集电极—基极电压 VCBO:80 V
- 最大直流电集电极电流:10 A
- 最大集电极截止电流:1000 uA
- 安装风格:Through Hole
- 封装 / 箱体:TO-220-3
- 最小工作温度:- 65 C
- 最大工作温度:+ 150 C
- 系列:BDX34B
- 封装:Tube
- 直流电流增益 hFE 最大值:750 at 3 A at 3 V
- 高度:15.75 mm
- 长度:10.53 mm
- 宽度:4.83 mm
- 商标:ON Semiconductor
- 直流集电极/Base Gain hfe Min:750
- 产品类型:Darlington Transistors
- 工厂包装数量:50
- 子类别:Transistors
- 单位重量:6 g
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